micron neemt 128-laags 3d nand-flashgeheugen op

Micron neemt 128-laags 3D NAND-flashgeheugen op

Micron Technology has taped out its 4th generation 3D NAND flash memory with 128 layers. This paves the way for mass production and product implementations in 2020. The 4th gen 3D NAND by Micron continues to use a CMOS-under-array design, but with Replacement Gate (RG) Technology instead of Floating Gate, which Micron and the erstwhile IMFlash Technology had been using for years. Micron is currently mass-producing 96-layer 3D NAND flash, and TLC remains the prominent data-storage physical layer despite the advent of QLC (4 bits per cell).

Micron merkt op dat deze 4e generatie 128-laags 3D NAND een stopgap is die beperkt is tot een beperkt aantal toepassingen, en het soort adoptie mogelijk niet ziet als de huidige 96-laags chips. Het bedrijf lijkt meer gefocust te zijn op zijn evolutie, mogelijk de 5e generatie 3D NAND, die naar verwachting tastbare kosten per bit winst voor het bedrijf zal opleveren, aangezien het overgaat naar een nieuwer siliciumfabricage knooppunt en bovendien nieuwere technologieën implementeert RG. 'We bereikten onze eerste matrijzen met de vervangende poort of kortweg' RG '. Deze mijlpaal vermindert verder het risico voor onze RG-transitie. Ter herinnering, onze eerste RG-knoop zal 128 lagen hebben en zal worden gebruikt voor een selecte set producten. We verwachten niet dat RG aanzienlijke kostenbesparingen zal opleveren tot FY2021 wanneer onze RG-node van de tweede generatie breed wordt geïmplementeerd. Daarom verwachten we minimale kostenreducties in NAND in FY2020. Onze RG-productie-inzetbenadering zal de ROI van onze NAND-kapitaalinvesteringen optimaliseren ', aldus Sanjay Mehrotra, CEO en president van Micron.
Source: AnandTech

grafische kaart met thunderbolt-poort