Samsung Electronics introduceert nieuw Flashbolt HBM2E geheugen met hoge bandbreedte

Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced semiconductor technology, today announced its new High Bandwidth Memory (HBM2E) product at NVIDIA's GPU Technology Conference (GTC) to deliver the highest DRAM performance levels for use in next-generation supercomputers, graphics systems, and artificial intelligence (AI).

De nieuwe oplossing, Flashbolt, is de eerste HBM2E in de branche die een gegevensoverdrachtssnelheid van 3,2 gigabit per seconde (Gbps) per pin levert, wat 33 procent sneller is dan de HBM2 van de vorige generatie. Flashbolt heeft een dichtheid van 16 Gb per chip, het dubbele van de capaciteit van de vorige generatie. Met deze verbeteringen biedt een enkel Samsung HBM2E-pakket een gegevensbandbreedte van 410 gigabytes per seconde (GBps) en 16 GB geheugen. 'Flashbolt's industry-leading performance will enable enhanced solutions for next-generation data centers, artificial intelligence, machine learning, and graphics applications,' said Jinman Han, senior vice president of Memory Product Planning and Application Engineering Team at Samsung Electronics. 'We will continue to expand our premium DRAM offering, and improve our 'high-performance, high capacity, and low power' memory segment to meet market demand.'